PTVA127002EV-V1 高功率射频 LDMOS FET 700 W CREE

　　描绘PTVA127002EV LDMOS FET 规划用于 1200 至 1400 MHz 频段的功率放大器运用。特色包含高增益和带有螺栓固定法兰的热增强封装。选用 Wolfspeed 先进的 LDMOS 工艺制作；该器材供给超卓的热功用和杰出的可靠性。PTVA127002EV-V1 特征宽带输入输出匹配高增益和高功率集成 ESD 维护人体模型 2 类（依据

　　MAAM-009779 有源分路器是GaAs MMIC 具有低噪声系数和无铅 3 mm 16 引脚 PQFN 塑猜中的失真包裹。 该规划选用了低噪音、高线性放大器和功率分配器功用。该规划具有 75 Ω 输入和输出。 十分合适多调谐器机顶盒、家庭网关和其他宽带根据互联网的设备。 运用 pHEMT 制作进程完成低噪声和低失真。 这工艺特色彻底钝化，巩固耐用功用

　　刺进式 90 度混合耦合器系列在小型封装中供给低刺进损耗、低 VSWR 和高功率才能。这些产品具有窄带宽和宽带带宽，十分合适功率放大器、功率组合器/分配器、调制器天线馈电、衰减器、开关和移相器运用。频率规模为 20 MHz 至 6,000 MHz，功率等级高达 1500 瓦。IPP-2108标准频率 (MHz) 1750-2400驻波比最大值 1.25:1幅

　　MA4E2200 系列是选用低成本外表贴装塑料封装的硅零偏压 P 型检测二极管。它们规划用于各种检测器运用。MA4E2200 系列零偏置检波二极管有 SOT-23（外壳款式 287）串联装备、SOD-323（外壳款式 1141）、SC-79 (1279) 单装备和 SOT-143 （事例款式 1068）在反向未衔接对装备中。零件编号由根本编号 MA4E220

　　MADP-011027 是一种无铅 1.5 x 1.2 mm 6 引脚 DFN 外表贴装塑料封装，可供给 50 MHz 至 12 GHz 的低和高信号频率操作。PIN 二极管较高的击穿电压和较低的热阻可供给超越 100 W 的峰值功率处理才能。该器材十分合适在较高入射功率的开关、移相器、衰减器和限幅器微波电路中运用，频率较高功用外表贴装二极管组件是必需的。M

　　XB1005-BD型的三级35.0-45.0 GHz GaAs MMIC缓冲放大器的小信号增益为23.0 dB，整个频带的噪声系数为2.7 dB。该MMIC选用MACOM的GaAs PHEMT器材模型技能，根据电子束光刻技能，以保证高重复性和均匀性。芯片具有外表钝化功用，以维护并供给具有反面通孔和金金属化的巩固部件，然后答应导电环氧或共晶焊料芯片衔接进程。该

　　MRF1090MB专为短脉冲塔康、IFF和DME发射机中的B级和C级公共基极放大器运用而规划。MRF1090MB产品标准零件编号 MRF1090MB简略描绘 微波脉冲功率硅NPN晶体管90W（峰值），960–1215MHz最小频率（MHz） 960最大频率（MHz） 1215偏压（V） 50普特（W） 90增益（dB） 8.40效

　　MACOM的MAAV-00是一种根据PIN二极管的电压可变衰减器。该设备选用SOW-16宽体塑料外表贴装封装。这些衰减器的线性作业功率和输入截获点电平比GaAs FET MMIC电压可变衰减器好15-20 dB。它们十分合适于要求低失真、高线性作业功率和高动态规模的场合。这些设备针对PCS频带进行了优化，但在整个指定频带上表现出优异的性

　　MACOM的MA4P505-36封装PIN二极管系列涵盖了广泛的电气特性和封装外形。半导体技能和芯片封装的这种多样性结合为电路规划者供给了相当大的灵活性。封装PIN二极管的快速开关系列使用薄的I区、氧化硅或玻璃钝化芯片，供给低漏电流和低刺进损耗。经过运用进程中操控监视器来调理晶片制作参数，这些器材将在操控电路运用中完成共同的功用。封装PIN二极管的高压产品线

　　CMPA801B030F1氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

　　CMPA801B030F1氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC) Wolfspeed 的 CMPA801B030 系列 X 波段 MMIC 放大器在 7.9 – 11 GHz 频率规模内作业，支撑卫星通信以及民用和国防相关雷达运用。发生40W的典型输出功率；具有

　　20dB的大信号增益和40%的功率附加功率；该产品系列供给跨各种渠道的高